項目 | 主な仕様 |
成膜室チャンバー | 外径 約φ450mm |
主ポンプ | 450L/s磁気浮上ターボ分子ポンプ及び20L/sロータリーポンプ |
到達圧力 | 1×10-6Pa(7.5×10-9torr) |
スパッタ源 | 2”マグネトロンスパッタ源 最大4基 シャッター内臓 最大300W |
基板回転加熱機構 | 基板φ3” 最大温度800℃ 回転20rmp最大 |
オプション | ・ロードロック室 ・基板冷却加熱回転機構 -20℃〜400℃ 対応 ・差動排気RHEEDシステム ・自動成膜コントロールシステム |
所在地
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大阪府交野市松塚14-12
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