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多元同時マグネトロンスパッタ装置

多元同時マグネトロンスパッタ装置

■概要
本システムは、超高真空チャンバー内に最大4基のマグネトロンスパッタ源を配置し、
成膜中基板を回転させ、各スパッタ源を独立にシャッター制御することにより、
積層及び同時多元成膜を均一性よく行うことの出来るマグネトロンスパッタ装置です。
また、ロードロック室を装備することにより、成膜中の不純物を減少させることで高品質成膜も可能としました。


■特長
1.スパッタ源の斜め配置に工夫を加え高い均一性を実現しました。
2.マグネトロンスパッタ源に工夫を加え磁性体セラミック等のターゲットに対しても対応が可能です。
3.豊富なオプションにより幅広い成膜条件が得られます。

項目 主な仕様
成膜室チャンバー 外径 約φ450mm
主ポンプ 450L/s磁気浮上ターボ分子ポンプ及び20L/sロータリーポンプ
到達圧力 1×10-6Pa(7.5×10-9torr)
スパッタ源 2”マグネトロンスパッタ源 最大4基
シャッター内臓 最大300W
基板回転加熱機構 基板φ3” 最大温度800℃
回転20rmp最大
オプション ・ロードロック室
・基板冷却加熱回転機構 -20℃〜400℃ 対応
・差動排気RHEEDシステム
・自動成膜コントロールシステム


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