ICF70 RHEED GUN |
GaN in 200Pa |
ランプ加熱機構 |
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レーザー加熱レンズ |
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SiCヒーター |
基板加熱データ |
マスク移動機構 |
全面エロージョン後のターゲット
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モバイルロードロック |
構成 | 主な仕様 |
チャンバー及び排気系 | ・チャンバー:φ220×450 SUS304(UHV型はEP処理) ・主ポンプ :300L/sターボ分子ポンプ(UHV型は磁気浮上型) ・到達圧力 :<5×10-5pa <1×10-7pa(UHV型) ゲージ :ピラニ及びペニングゲージ ベーキング :200℃温調付 ポート :排気系・基板加熱機構・ターゲット自公転機構・ RHEED・マスク移動機構・ロード室・ガス導入・各種セル |
基板回転加熱機構 | ・収納基板 :φ1”(或いは2”) ・ヒーター :SiCヒーター ・温度 :1000℃(基板表面にて) ・回転 :ACモーター エンドレス ・上下機構 :±20mm ・シャッター:手動 |
ターゲット自公転機構 | ・ターゲット形状:φ20×5t 4個 ・自転 :ACモーター エンドレス max20rpm ・公転 :パルスモーター駆動 ・上下機構:±20mm |
ガス導入機構 | ・マスフローコントローラー及びストップ弁 |
オプション | ・高速電子線解析システム(RHEED) ・YAGレーザー或いはエキシマレーザー (別途打合せとなります) ・レーザー基板加熱機構 ・マスク移動機構 ・ロードロックシステム ・タッチパネル型自動成膜コントローラー |
所在地
〒576-0043
大阪府交野市松塚14-12
TEL 072-895-3113
FAX 072-895-3114
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