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小型高性能レーザーアブレーション装置

小型高性能レーザーアブレーション装置

■概要
本レーザーアブレーション装置は小型ながら各種工夫を加えており、
高性能レーザーアブレーション装置となっております。
豊富なオプションも揃え、酸化物・窒化物の高品質結晶薄膜生成や革新型蓄電池等、幅広く使用されております。


■特長
1.拡張性を備えた小型チャンバーを採用し、短時間で高真空領域まで到達できる共に省スペース化が可能です。
2.耐久性に優れたSiC基板加熱機構の採用により、反応ガス中でも1000℃の高温加熱が可能です。
3.マルチターゲット自公回転機構に工夫を加え、全面エロージョン型アブレーションが可能となり、
 長時間安定な成膜が出来ます。(オプション)
4.手動操作による低価格の機本体から自動運転型まで幅広い機種を揃えております。
5.RHEED・マスク移動機構・ラジカルソース等豊富なオプションを揃え、必要な構成を自由に選択できます。

■オプション
1.高速電子線解析システム(RHEED):結晶薄膜作成時に使用されます。

ICF70 RHEED GUN

GaN in 200Pa

2.高温加熱機構
 1)ランプ加熱機構 小型基板を1000℃以上に加熱する場合に有効です。

ランプ加熱機構

 2)レーザー加熱機構

レーザー加熱レンズ

 3)SiC加熱機構

SiCヒーター

基板加熱データ

3.マスク移動機構:同一基板に異なった特性の薄膜合成ができます。

マスク移動機構

4.スウィング機構:全面エロージョン型アブレーションを提供することで長時間安定な成膜ができます。
 1μm以上の厚膜作成時に有効です。

全面エロージョン後のターゲット
(10時間)

5.ロードロックシステム
 1)ロードロック室:本体を大気にさらすことなく基板・ターゲットの交換が可能となり、
   より高品質な膜が得られます。
 2)モバイルロードロック室:基板を真空保管しながら、他の装置へ接続することが出来ます。

モバイルロードロック



構成 主な仕様
チャンバー及び排気系 ・チャンバー:φ220×450 SUS304(UHV型はEP処理)
・主ポンプ :300L/sターボ分子ポンプ(UHV型は磁気浮上型)
・到達圧力 :<5×10-5pa
       <1×10-7pa(UHV型)
ゲージ   :ピラニ及びペニングゲージ
ベーキング :200℃温調付
ポート   :排気系・基板加熱機構・ターゲット自公転機構・
       RHEED・マスク移動機構・ロード室・ガス導入・各種セル
基板回転加熱機構 ・収納基板 :φ1”(或いは2”)
・ヒーター :SiCヒーター
・温度   :1000℃(基板表面にて)
・回転   :ACモーター エンドレス
・上下機構 :±20mm
・シャッター:手動
ターゲット自公転機構 ・ターゲット形状:φ20×5t 4個
・自転  :ACモーター エンドレス
      max20rpm
・公転  :パルスモーター駆動
・上下機構:±20mm
ガス導入機構 ・マスフローコントローラー及びストップ弁
オプション ・高速電子線解析システム(RHEED)
・YAGレーザー或いはエキシマレーザー
(別途打合せとなります)
・レーザー基板加熱機構
・マスク移動機構
・ロードロックシステム
・タッチパネル型自動成膜コントローラー
 注)尚、性能向上のため予告なく仕様を変更する事があります。

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