パルスレーザーアブレーション装置（PLD）
パルスレーザーアブレーション装置（PLD）
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チャンバー：成長室+ロードロック室
成長室達成真空度：10-8Pa
RHEED装備
| 基板： サイズ：1-3インチ ヒーター：SiC 加熱温度：900℃以上 四軸駆動：XYZ三次元+面内回転 回転駆動：DCモーター、回転速度調整可能 シャッター付き |
ターゲット： サイズ：1インチ 数量：4-6個 公転（ターゲット交換）：手動又はパレスモーター制御 自転：DCモーター、回転速度調整可能 ターゲット間遮蔽板付き |
真空装置
分子線エピタキシーシステム（MBE）
プラズマ増強CVD装置（PECVD）
有機発光ディバイスシステム（OLED） |
パルスレーザーアブレーション装置（PLD）
マグネトロンスパッタ装置（MFS）
XPS/ARPESシステム集成（XPS/UPS/ARPES） |
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